Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SIR410DP-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
4.2W (Ta), 36W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
41nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1600pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 28067 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIR410DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SIR410DP-T1-GE3 Penjualan
SIR410DP-T1-GE3 Pemasok
SIR410DP-T1-GE3 Distributor
SIR410DP-T1-GE3 Tabel data
SIR410DP-T1-GE3 Foto
SIR410DP-T1-GE3 Harga
SIR410DP-T1-GE3 Menawarkan
SIR410DP-T1-GE3 Harga terendah
SIR410DP-T1-GE3 Mencari
SIR410DP-T1-GE3 Pembelian
SIR410DP-T1-GE3 Kepingan