Beli Vishay Siliconix SIR410DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIR410DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Nomor Bagian

SIR410DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

4.2W (Ta), 36W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

41nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1600pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28067 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIR401DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8