Beli Vishay Siliconix SIR188DP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 60V

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIR188DP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60V

Nomor Bagian

SIR188DP-T1-RE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen IV

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

25.5A (Ta), 60A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

3.85 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3.6V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

44nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1920pF @ 30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

7.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 42812 PCS

Kontak informasi