SIHFS11N50A-GE3
MOSFET N-CH 500V 11A TO263
Nomor Bagian
SIHFS11N50A-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
TO-263 (D²Pak)
Disipasi Daya (Maks)
170W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
52nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1423pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 48967 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHFS11N50A-GE3
SIHFS11N50A-GE3 Komponen elektronik
SIHFS11N50A-GE3 Penjualan
SIHFS11N50A-GE3 Pemasok
SIHFS11N50A-GE3 Distributor
SIHFS11N50A-GE3 Tabel data
SIHFS11N50A-GE3 Foto
SIHFS11N50A-GE3 Harga
SIHFS11N50A-GE3 Menawarkan
SIHFS11N50A-GE3 Harga terendah
SIHFS11N50A-GE3 Mencari
SIHFS11N50A-GE3 Pembelian
SIHFS11N50A-GE3 Kepingan