SIHFB11N50A-E3
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Nomor Bagian
SIHFB11N50A-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
170W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
500V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
52nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1423pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 42191 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SIHFB11N50A-E3
SIHFB11N50A-E3 Komponen elektronik
SIHFB11N50A-E3 Penjualan
SIHFB11N50A-E3 Pemasok
SIHFB11N50A-E3 Distributor
SIHFB11N50A-E3 Tabel data
SIHFB11N50A-E3 Foto
SIHFB11N50A-E3 Harga
SIHFB11N50A-E3 Menawarkan
SIHFB11N50A-E3 Harga terendah
SIHFB11N50A-E3 Mencari
SIHFB11N50A-E3 Pembelian
SIHFB11N50A-E3 Kepingan