Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIE876DF-T1-GE3

SIE876DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
Nomor Bagian
SIE876DF-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
10-PolarPAK® (L)
Paket Perangkat Pemasok
10-PolarPAK® (L)
Disipasi Daya (Maks)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
60V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
6.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
77nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
3100pF @ 30V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 9285 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIE876DF-T1-GE3
SIE876DF-T1-GE3 Komponen elektronik
SIE876DF-T1-GE3 Penjualan
SIE876DF-T1-GE3 Pemasok
SIE876DF-T1-GE3 Distributor
SIE876DF-T1-GE3 Tabel data
SIE876DF-T1-GE3 Foto
SIE876DF-T1-GE3 Harga
SIE876DF-T1-GE3 Menawarkan
SIE876DF-T1-GE3 Harga terendah
SIE876DF-T1-GE3 Mencari
SIE876DF-T1-GE3 Pembelian
SIE876DF-T1-GE3 Kepingan