Beli Vishay Siliconix SIE860DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIE860DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

Nomor Bagian

SIE860DF-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

10-PolarPAK® (M)

Paket Perangkat Pemasok

10-PolarPAK® (M)

Disipasi Daya (Maks)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 21.7A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

105nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

4500pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 54973 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK