Beli Vishay Siliconix SIB417DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIB417DK-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Nomor Bagian

SIB417DK-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SC-75-6L

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SC-75-6L Single

Disipasi Daya (Maks)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 5.6A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

12.75nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

675pF @ 4V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks)

±5V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 42014 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L