Beli Vishay Siliconix SIB412DK-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIB412DK-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Nomor Bagian

SIB412DK-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SC-75-6L

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SC-75-6L Single

Disipasi Daya (Maks)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

34 mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

10.16nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

535pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 15364 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L