Beli Vishay Siliconix SIB410DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIB410DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Nomor Bagian

SIB410DK-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SC-75-6L

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SC-75-6L Single

Disipasi Daya (Maks)

2.5W (Ta), 13W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 8V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

560pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 37647 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L