Beli Vishay Siliconix SIA477EDJT-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIA477EDJT-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Nomor Bagian

SIA477EDJT-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen III

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SC-70-6

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disipasi Daya (Maks)

19W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

12V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3050pF @ 6V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 46049 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70