Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Nomor Bagian
SIA445EDJT-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SC-70-6
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SC-70-6 Single
Disipasi Daya (Maks)
19W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
16.7 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.2V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
69nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2180pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 25865 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIA445EDJT-T1-GE3
SIA445EDJT-T1-GE3 Komponen elektronik
SIA445EDJT-T1-GE3 Penjualan
SIA445EDJT-T1-GE3 Pemasok
SIA445EDJT-T1-GE3 Distributor
SIA445EDJT-T1-GE3 Tabel data
SIA445EDJT-T1-GE3 Foto
SIA445EDJT-T1-GE3 Harga
SIA445EDJT-T1-GE3 Menawarkan
SIA445EDJT-T1-GE3 Harga terendah
SIA445EDJT-T1-GE3 Mencari
SIA445EDJT-T1-GE3 Pembelian
SIA445EDJT-T1-GE3 Kepingan