Beli Vishay Siliconix SIA436DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIA436DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

Nomor Bagian

SIA436DJ-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SC-70-6

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disipasi Daya (Maks)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

9.4 mOhm @ 15.7A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

800mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

25.2nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1508pF @ 4V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks)

±5V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 51442 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70