Beli Vishay Siliconix SIA429DJT-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SIA429DJT-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Nomor Bagian

SIA429DJT-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SC-70-6

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disipasi Daya (Maks)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

20.5 mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

62nC @ 8V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1750pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 42491 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70