Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Nomor Bagian
SIA425EDJ-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Last Time Buy
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SC-70-6
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SC-70-6 Single
Disipasi Daya (Maks)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
-
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 36984 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SIA425EDJ-T1-GE3
SIA425EDJ-T1-GE3 Komponen elektronik
SIA425EDJ-T1-GE3 Penjualan
SIA425EDJ-T1-GE3 Pemasok
SIA425EDJ-T1-GE3 Distributor
SIA425EDJ-T1-GE3 Tabel data
SIA425EDJ-T1-GE3 Foto
SIA425EDJ-T1-GE3 Harga
SIA425EDJ-T1-GE3 Menawarkan
SIA425EDJ-T1-GE3 Harga terendah
SIA425EDJ-T1-GE3 Mencari
SIA425EDJ-T1-GE3 Pembelian
SIA425EDJ-T1-GE3 Kepingan