Beli Vishay Siliconix SIA419DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SIA419DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Nomor Bagian

SIA419DJ-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SC-70-6

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disipasi Daya (Maks)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

850mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

29nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1500pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks)

±5V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 6550 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70