Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8499DB-T2-E1

SI8499DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8499DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
6-MICRO FOOT™
Paket Perangkat Pemasok
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Disipasi Daya (Maks)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
30nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1300pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 20610 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8499DB-T2-E1
SI8499DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8499DB-T2-E1 Penjualan
SI8499DB-T2-E1 Pemasok
SI8499DB-T2-E1 Distributor
SI8499DB-T2-E1 Tabel data
SI8499DB-T2-E1 Foto
SI8499DB-T2-E1 Harga
SI8499DB-T2-E1 Menawarkan
SI8499DB-T2-E1 Harga terendah
SI8499DB-T2-E1 Mencari
SI8499DB-T2-E1 Pembelian
SI8499DB-T2-E1 Kepingan