Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8483DB-T2-E1

SI8483DB-T2-E1

MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8483DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
6-UFBGA
Paket Perangkat Pemasok
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Disipasi Daya (Maks)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
12V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
800mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
65nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1840pF @ 6V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±10V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 53779 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8483DB-T2-E1
SI8483DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8483DB-T2-E1 Penjualan
SI8483DB-T2-E1 Pemasok
SI8483DB-T2-E1 Distributor
SI8483DB-T2-E1 Tabel data
SI8483DB-T2-E1 Foto
SI8483DB-T2-E1 Harga
SI8483DB-T2-E1 Menawarkan
SI8483DB-T2-E1 Harga terendah
SI8483DB-T2-E1 Mencari
SI8483DB-T2-E1 Pembelian
SI8483DB-T2-E1 Kepingan