Beli Vishay Siliconix SI8481DB-T1-E1 MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI8481DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT

Nomor Bagian

SI8481DB-T1-E1

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen III

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

4-UFBGA

Paket Perangkat Pemasok

4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)

Disipasi Daya (Maks)

2.8W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

9.7A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

900mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

47nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2500pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 51265 PCS

Kontak informasi