Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8472DB-T2-E1

SI8472DB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO
Nomor Bagian
SI8472DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-UFBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Micro Foot (1x1)
Disipasi Daya (Maks)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
44 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
18nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
630pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 9750 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8472DB-T2-E1
SI8472DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8472DB-T2-E1 Penjualan
SI8472DB-T2-E1 Pemasok
SI8472DB-T2-E1 Distributor
SI8472DB-T2-E1 Tabel data
SI8472DB-T2-E1 Foto
SI8472DB-T2-E1 Harga
SI8472DB-T2-E1 Menawarkan
SI8472DB-T2-E1 Harga terendah
SI8472DB-T2-E1 Mencari
SI8472DB-T2-E1 Pembelian
SI8472DB-T2-E1 Kepingan