Beli Vishay Siliconix SI8469DB-T2-E1 MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI8469DB-T2-E1

MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO

Nomor Bagian

SI8469DB-T2-E1

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Last Time Buy

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

4-UFBGA

Paket Perangkat Pemasok

4-Microfoot

Disipasi Daya (Maks)

780mW (Ta), 1.8W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

4.6A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

64 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

800mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

900pF @ 4V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V

Vgs (Maks)

±5V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 6138 PCS

Kontak informasi