Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8467DB-T2-E1

SI8467DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8467DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA, CSPBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
21nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
475pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 31635 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8467DB-T2-E1
SI8467DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8467DB-T2-E1 Penjualan
SI8467DB-T2-E1 Pemasok
SI8467DB-T2-E1 Distributor
SI8467DB-T2-E1 Tabel data
SI8467DB-T2-E1 Foto
SI8467DB-T2-E1 Harga
SI8467DB-T2-E1 Menawarkan
SI8467DB-T2-E1 Harga terendah
SI8467DB-T2-E1 Mencari
SI8467DB-T2-E1 Pembelian
SI8467DB-T2-E1 Kepingan