Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8465DB-T2-E1

SI8465DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8465DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA, CSPBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
104 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
18nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
450pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 14315 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8465DB-T2-E1
SI8465DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8465DB-T2-E1 Penjualan
SI8465DB-T2-E1 Pemasok
SI8465DB-T2-E1 Distributor
SI8465DB-T2-E1 Tabel data
SI8465DB-T2-E1 Foto
SI8465DB-T2-E1 Harga
SI8465DB-T2-E1 Menawarkan
SI8465DB-T2-E1 Harga terendah
SI8465DB-T2-E1 Mencari
SI8465DB-T2-E1 Pembelian
SI8465DB-T2-E1 Kepingan