Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8461DB-T2-E1

SI8461DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8461DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Last Time Buy
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA, CSPBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
24nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
610pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 50548 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8461DB-T2-E1
SI8461DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8461DB-T2-E1 Penjualan
SI8461DB-T2-E1 Pemasok
SI8461DB-T2-E1 Distributor
SI8461DB-T2-E1 Tabel data
SI8461DB-T2-E1 Foto
SI8461DB-T2-E1 Harga
SI8461DB-T2-E1 Menawarkan
SI8461DB-T2-E1 Harga terendah
SI8461DB-T2-E1 Mencari
SI8461DB-T2-E1 Pembelian
SI8461DB-T2-E1 Kepingan