Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8457DB-T1-E1

SI8457DB-T1-E1

MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8457DB-T1-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-UFBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Disipasi Daya (Maks)
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
12V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
700mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
93nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
2900pF @ 6V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 50977 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8457DB-T1-E1
SI8457DB-T1-E1 Komponen elektronik
SI8457DB-T1-E1 Penjualan
SI8457DB-T1-E1 Pemasok
SI8457DB-T1-E1 Distributor
SI8457DB-T1-E1 Tabel data
SI8457DB-T1-E1 Foto
SI8457DB-T1-E1 Harga
SI8457DB-T1-E1 Menawarkan
SI8457DB-T1-E1 Harga terendah
SI8457DB-T1-E1 Mencari
SI8457DB-T1-E1 Pembelian
SI8457DB-T1-E1 Kepingan