Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8429DB-T1-E1

SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Nomor Bagian
SI8429DB-T1-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA, CSPBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
8V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
11.7A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
800mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1640pF @ 4V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.2V, 4.5V
Vgs (Maks)
±5V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 10587 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8429DB-T1-E1
SI8429DB-T1-E1 Komponen elektronik
SI8429DB-T1-E1 Penjualan
SI8429DB-T1-E1 Pemasok
SI8429DB-T1-E1 Distributor
SI8429DB-T1-E1 Tabel data
SI8429DB-T1-E1 Foto
SI8429DB-T1-E1 Harga
SI8429DB-T1-E1 Menawarkan
SI8429DB-T1-E1 Harga terendah
SI8429DB-T1-E1 Mencari
SI8429DB-T1-E1 Pembelian
SI8429DB-T1-E1 Kepingan