Beli Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Nomor Bagian

SI8429DB-T1-E1

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

4-XFBGA, CSPBGA

Paket Perangkat Pemasok

4-Microfoot

Disipasi Daya (Maks)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

11.7A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

800mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

26nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1640pF @ 4V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks)

±5V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 10587 PCS

Kontak informasi