Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8416DB-T2-E1

SI8416DB-T2-E1

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
Nomor Bagian
SI8416DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
6-UFBGA
Paket Perangkat Pemasok
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Disipasi Daya (Maks)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
8V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
800mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1470pF @ 4V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.2V, 4.5V
Vgs (Maks)
±5V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 37815 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8416DB-T2-E1
SI8416DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8416DB-T2-E1 Penjualan
SI8416DB-T2-E1 Pemasok
SI8416DB-T2-E1 Distributor
SI8416DB-T2-E1 Tabel data
SI8416DB-T2-E1 Foto
SI8416DB-T2-E1 Harga
SI8416DB-T2-E1 Menawarkan
SI8416DB-T2-E1 Harga terendah
SI8416DB-T2-E1 Mencari
SI8416DB-T2-E1 Pembelian
SI8416DB-T2-E1 Kepingan