Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8416DB-T1-GE3

SI8416DB-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
Nomor Bagian
SI8416DB-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
6-UFBGA
Paket Perangkat Pemasok
6-microfoot
Disipasi Daya (Maks)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
8V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
800mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1470pF @ 4V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.2V, 4.5V
Vgs (Maks)
±5V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 54788 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8416DB-T1-GE3
SI8416DB-T1-GE3 Komponen elektronik
SI8416DB-T1-GE3 Penjualan
SI8416DB-T1-GE3 Pemasok
SI8416DB-T1-GE3 Distributor
SI8416DB-T1-GE3 Tabel data
SI8416DB-T1-GE3 Foto
SI8416DB-T1-GE3 Harga
SI8416DB-T1-GE3 Menawarkan
SI8416DB-T1-GE3 Harga terendah
SI8416DB-T1-GE3 Mencari
SI8416DB-T1-GE3 Pembelian
SI8416DB-T1-GE3 Kepingan