Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8413DB-T1-E1

SI8413DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP
Nomor Bagian
SI8413DB-T1-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA, CSPBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
1.47W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
4.8A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
21nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 50382 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8413DB-T1-E1
SI8413DB-T1-E1 Komponen elektronik
SI8413DB-T1-E1 Penjualan
SI8413DB-T1-E1 Pemasok
SI8413DB-T1-E1 Distributor
SI8413DB-T1-E1 Tabel data
SI8413DB-T1-E1 Foto
SI8413DB-T1-E1 Harga
SI8413DB-T1-E1 Menawarkan
SI8413DB-T1-E1 Harga terendah
SI8413DB-T1-E1 Mencari
SI8413DB-T1-E1 Pembelian
SI8413DB-T1-E1 Kepingan