Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8410DB-T2-E1

SI8410DB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
Nomor Bagian
SI8410DB-T2-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-UFBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Micro Foot (1x1)
Disipasi Daya (Maks)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
-
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
850mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
16nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
620pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 33684 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8410DB-T2-E1
SI8410DB-T2-E1 Komponen elektronik
SI8410DB-T2-E1 Penjualan
SI8410DB-T2-E1 Pemasok
SI8410DB-T2-E1 Distributor
SI8410DB-T2-E1 Tabel data
SI8410DB-T2-E1 Foto
SI8410DB-T2-E1 Harga
SI8410DB-T2-E1 Menawarkan
SI8410DB-T2-E1 Harga terendah
SI8410DB-T2-E1 Mencari
SI8410DB-T2-E1 Pembelian
SI8410DB-T2-E1 Kepingan