Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI8402DB-T1-E1

SI8402DB-T1-E1

MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
Nomor Bagian
SI8402DB-T1-E1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
4-XFBGA, CSPBGA
Paket Perangkat Pemasok
4-Microfoot
Disipasi Daya (Maks)
1.47W (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 13854 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI8402DB-T1-E1
SI8402DB-T1-E1 Komponen elektronik
SI8402DB-T1-E1 Penjualan
SI8402DB-T1-E1 Pemasok
SI8402DB-T1-E1 Distributor
SI8402DB-T1-E1 Tabel data
SI8402DB-T1-E1 Foto
SI8402DB-T1-E1 Harga
SI8402DB-T1-E1 Menawarkan
SI8402DB-T1-E1 Harga terendah
SI8402DB-T1-E1 Mencari
SI8402DB-T1-E1 Pembelian
SI8402DB-T1-E1 Kepingan