Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SI7956DP-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8 Dual
Kekuatan - Maks
1.4W
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8 Dual
Tipe FET
2 N-Channel (Dual)
Fitur FET
Logic Level Gate
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
150V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
2.6A
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
26nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 20905 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI7956DP-T1-GE3
SI7956DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SI7956DP-T1-GE3 Penjualan
SI7956DP-T1-GE3 Pemasok
SI7956DP-T1-GE3 Distributor
SI7956DP-T1-GE3 Tabel data
SI7956DP-T1-GE3 Foto
SI7956DP-T1-GE3 Harga
SI7956DP-T1-GE3 Menawarkan
SI7956DP-T1-GE3 Harga terendah
SI7956DP-T1-GE3 Mencari
SI7956DP-T1-GE3 Pembelian
SI7956DP-T1-GE3 Kepingan