Beli Vishay Siliconix SI7882DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI7882DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Nomor Bagian

SI7882DP-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

PowerPAK® SO-8

Paket Perangkat Pemasok

PowerPAK® SO-8

Disipasi Daya (Maks)

1.9W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

12V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

13A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 17A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 52884 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI7802DN-T1-E3

MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8