Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI7846DP-T1-E3

SI7846DP-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SI7846DP-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
1.9W (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
150V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
36nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 41751 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI7846DP-T1-E3
SI7846DP-T1-E3 Komponen elektronik
SI7846DP-T1-E3 Penjualan
SI7846DP-T1-E3 Pemasok
SI7846DP-T1-E3 Distributor
SI7846DP-T1-E3 Tabel data
SI7846DP-T1-E3 Foto
SI7846DP-T1-E3 Harga
SI7846DP-T1-E3 Menawarkan
SI7846DP-T1-E3 Harga terendah
SI7846DP-T1-E3 Mencari
SI7846DP-T1-E3 Pembelian
SI7846DP-T1-E3 Kepingan