Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI7460DP-T1-E3

SI7460DP-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SI7460DP-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
1.9W (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
60V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
9.6 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
100nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 53207 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI7460DP-T1-E3
SI7460DP-T1-E3 Komponen elektronik
SI7460DP-T1-E3 Penjualan
SI7460DP-T1-E3 Pemasok
SI7460DP-T1-E3 Distributor
SI7460DP-T1-E3 Tabel data
SI7460DP-T1-E3 Foto
SI7460DP-T1-E3 Harga
SI7460DP-T1-E3 Menawarkan
SI7460DP-T1-E3 Harga terendah
SI7460DP-T1-E3 Mencari
SI7460DP-T1-E3 Pembelian
SI7460DP-T1-E3 Kepingan