Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI7430DP-T1-E3

SI7430DP-T1-E3

MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SI7430DP-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
150V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
43nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1735pF @ 50V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
8V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 37896 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI7430DP-T1-E3
SI7430DP-T1-E3 Komponen elektronik
SI7430DP-T1-E3 Penjualan
SI7430DP-T1-E3 Pemasok
SI7430DP-T1-E3 Distributor
SI7430DP-T1-E3 Tabel data
SI7430DP-T1-E3 Foto
SI7430DP-T1-E3 Harga
SI7430DP-T1-E3 Menawarkan
SI7430DP-T1-E3 Harga terendah
SI7430DP-T1-E3 Mencari
SI7430DP-T1-E3 Pembelian
SI7430DP-T1-E3 Kepingan