Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI7370DP-T1-GE3

SI7370DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Nomor Bagian
SI7370DP-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® SO-8
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® SO-8
Disipasi Daya (Maks)
1.9W (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
60V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
9.6A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
57nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 41043 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI7370DP-T1-GE3
SI7370DP-T1-GE3 Komponen elektronik
SI7370DP-T1-GE3 Penjualan
SI7370DP-T1-GE3 Pemasok
SI7370DP-T1-GE3 Distributor
SI7370DP-T1-GE3 Tabel data
SI7370DP-T1-GE3 Foto
SI7370DP-T1-GE3 Harga
SI7370DP-T1-GE3 Menawarkan
SI7370DP-T1-GE3 Harga terendah
SI7370DP-T1-GE3 Mencari
SI7370DP-T1-GE3 Pembelian
SI7370DP-T1-GE3 Kepingan