Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI6473DQ-T1-GE3

SI6473DQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Nomor Bagian
SI6473DQ-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paket Perangkat Pemasok
8-TSSOP
Disipasi Daya (Maks)
1.08W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
70nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 38587 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI6473DQ-T1-GE3
SI6473DQ-T1-GE3 Komponen elektronik
SI6473DQ-T1-GE3 Penjualan
SI6473DQ-T1-GE3 Pemasok
SI6473DQ-T1-GE3 Distributor
SI6473DQ-T1-GE3 Tabel data
SI6473DQ-T1-GE3 Foto
SI6473DQ-T1-GE3 Harga
SI6473DQ-T1-GE3 Menawarkan
SI6473DQ-T1-GE3 Harga terendah
SI6473DQ-T1-GE3 Mencari
SI6473DQ-T1-GE3 Pembelian
SI6473DQ-T1-GE3 Kepingan