Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI6473DQ-T1-E3

SI6473DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Nomor Bagian
SI6473DQ-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paket Perangkat Pemasok
8-TSSOP
Disipasi Daya (Maks)
1.08W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
12.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
70nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 50613 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI6473DQ-T1-E3
SI6473DQ-T1-E3 Komponen elektronik
SI6473DQ-T1-E3 Penjualan
SI6473DQ-T1-E3 Pemasok
SI6473DQ-T1-E3 Distributor
SI6473DQ-T1-E3 Tabel data
SI6473DQ-T1-E3 Foto
SI6473DQ-T1-E3 Harga
SI6473DQ-T1-E3 Menawarkan
SI6473DQ-T1-E3 Harga terendah
SI6473DQ-T1-E3 Mencari
SI6473DQ-T1-E3 Pembelian
SI6473DQ-T1-E3 Kepingan