Beli Vishay Siliconix SI6463BDQ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI6463BDQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

Nomor Bagian

SI6463BDQ-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Paket Perangkat Pemasok

8-TSSOP

Disipasi Daya (Maks)

1.05W (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6.2A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 7.4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

800mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

60nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 13364 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI6404DQ-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP