Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI6463BDQ-T1-E3

SI6463BDQ-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
Nomor Bagian
SI6463BDQ-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paket Perangkat Pemasok
8-TSSOP
Disipasi Daya (Maks)
1.05W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
800mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
60nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 36207 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI6463BDQ-T1-E3
SI6463BDQ-T1-E3 Komponen elektronik
SI6463BDQ-T1-E3 Penjualan
SI6463BDQ-T1-E3 Pemasok
SI6463BDQ-T1-E3 Distributor
SI6463BDQ-T1-E3 Tabel data
SI6463BDQ-T1-E3 Foto
SI6463BDQ-T1-E3 Harga
SI6463BDQ-T1-E3 Menawarkan
SI6463BDQ-T1-E3 Harga terendah
SI6463BDQ-T1-E3 Mencari
SI6463BDQ-T1-E3 Pembelian
SI6463BDQ-T1-E3 Kepingan