Beli Vishay Siliconix SI5855DC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI5855DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8

Nomor Bagian

SI5855DC-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SMD, Flat Lead

Paket Perangkat Pemasok

1206-8 ChipFET™

Disipasi Daya (Maks)

1.1W (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Schottky Diode (Isolated)

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.7A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 47702 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI5853CDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8