Beli Vishay Siliconix SI5509DC-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI5509DC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

Nomor Bagian

SI5509DC-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SMD, Flat Lead

Kekuatan - Maks

4.5W

Paket Perangkat Pemasok

1206-8 ChipFET™

Tipe FET

N and P-Channel

Fitur FET

Logic Level Gate

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6.1A, 4.8A

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

6.6nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

455pF @ 10V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 16928 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI5504BDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8