Beli Vishay Siliconix SI5475DDC-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI5475DDC-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

Nomor Bagian

SI5475DDC-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Last Time Buy

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SMD, Flat Lead

Paket Perangkat Pemasok

1206-8 ChipFET™

Disipasi Daya (Maks)

2.3W (Ta), 5.7W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

12V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

50nC @ 8V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1600pF @ 6V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 8621 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8