Beli Vishay Siliconix SI5471DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Nomor Bagian

SI5471DC-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SMD, Flat Lead

Paket Perangkat Pemasok

1206-8 ChipFET™

Disipasi Daya (Maks)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

96nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

2945pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 27812 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8