Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI5463EDC-T1-GE3

SI5463EDC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
Nomor Bagian
SI5463EDC-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-SMD, Flat Lead
Paket Perangkat Pemasok
1206-8 ChipFET™
Disipasi Daya (Maks)
1.25W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
62 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 41581 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI5463EDC-T1-GE3
SI5463EDC-T1-GE3 Komponen elektronik
SI5463EDC-T1-GE3 Penjualan
SI5463EDC-T1-GE3 Pemasok
SI5463EDC-T1-GE3 Distributor
SI5463EDC-T1-GE3 Tabel data
SI5463EDC-T1-GE3 Foto
SI5463EDC-T1-GE3 Harga
SI5463EDC-T1-GE3 Menawarkan
SI5463EDC-T1-GE3 Harga terendah
SI5463EDC-T1-GE3 Mencari
SI5463EDC-T1-GE3 Pembelian
SI5463EDC-T1-GE3 Kepingan