Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI5463EDC-T1-E3

SI5463EDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
Nomor Bagian
SI5463EDC-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-SMD, Flat Lead
Paket Perangkat Pemasok
1206-8 ChipFET™
Disipasi Daya (Maks)
1.25W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
62 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 20912 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI5463EDC-T1-E3
SI5463EDC-T1-E3 Komponen elektronik
SI5463EDC-T1-E3 Penjualan
SI5463EDC-T1-E3 Pemasok
SI5463EDC-T1-E3 Distributor
SI5463EDC-T1-E3 Tabel data
SI5463EDC-T1-E3 Foto
SI5463EDC-T1-E3 Harga
SI5463EDC-T1-E3 Menawarkan
SI5463EDC-T1-E3 Harga terendah
SI5463EDC-T1-E3 Mencari
SI5463EDC-T1-E3 Pembelian
SI5463EDC-T1-E3 Kepingan