Beli Vishay Siliconix SI5441DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI5441DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

Nomor Bagian

SI5441DC-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SMD, Flat Lead

Paket Perangkat Pemasok

1206-8 ChipFET™

Disipasi Daya (Maks)

1.3W (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

3.9A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 30926 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8