Beli Vishay Siliconix SI5424DC-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI5424DC-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

Nomor Bagian

SI5424DC-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SMD, Flat Lead

Paket Perangkat Pemasok

1206-8 ChipFET™

Disipasi Daya (Maks)

2.5W (Ta), 6.25W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.3V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

32nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

950pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±25V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 6589 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8