Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
Nomor Bagian
SI5419DU-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Paket Perangkat Pemasok
8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
Disipasi Daya (Maks)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
45nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1400pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 31759 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI5419DU-T1-GE3
SI5419DU-T1-GE3 Komponen elektronik
SI5419DU-T1-GE3 Penjualan
SI5419DU-T1-GE3 Pemasok
SI5419DU-T1-GE3 Distributor
SI5419DU-T1-GE3 Tabel data
SI5419DU-T1-GE3 Foto
SI5419DU-T1-GE3 Harga
SI5419DU-T1-GE3 Menawarkan
SI5419DU-T1-GE3 Harga terendah
SI5419DU-T1-GE3 Mencari
SI5419DU-T1-GE3 Pembelian
SI5419DU-T1-GE3 Kepingan