Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
Nomor Bagian
SI5411EDU-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
PowerPAK® ChipFET™ Single
Paket Perangkat Pemasok
PowerPAK® ChipFet Single
Disipasi Daya (Maks)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
12V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
105nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
4100pF @ 6V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 40412 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI5411EDU-T1-GE3
SI5411EDU-T1-GE3 Komponen elektronik
SI5411EDU-T1-GE3 Penjualan
SI5411EDU-T1-GE3 Pemasok
SI5411EDU-T1-GE3 Distributor
SI5411EDU-T1-GE3 Tabel data
SI5411EDU-T1-GE3 Foto
SI5411EDU-T1-GE3 Harga
SI5411EDU-T1-GE3 Menawarkan
SI5411EDU-T1-GE3 Harga terendah
SI5411EDU-T1-GE3 Mencari
SI5411EDU-T1-GE3 Pembelian
SI5411EDU-T1-GE3 Kepingan